本文是Allegro霍尔效应传感器集成电路的技术文档，这些器件的制造方式，以及Allegro如何使用霍尔效应原理开发这些器件。它包括霍尔效应的基本物理原理及其应用，霍尔IC结构和霍尔器件封装。

　　霍尔效应原理

　　霍尔效应以埃德温·霍尔（Edwin Hall）的名字命名，埃德温·霍尔（Edwin Hall）在1879年发现，当磁场沿垂直于板平面的方向穿过板时，在载流导电板上会产生电压电势。

　　霍尔效应背后的基本物理原理是洛伦兹力。当电子沿垂直于外加磁场B的方向v移动时，它会受到力F的作用。洛伦兹力，既垂直于外加磁场，又垂直于电流。

　　响应于该力，电子沿着导体沿弯曲路径移动，并且在板上形成净电荷，因此产生了电压。该霍尔电压VH遵循以下公式，该公式表明VHis与所施加的场强成正比，并且VH的极性由所施加的磁场的北向或南向确定。通过该特性，霍尔效应被用作磁传感器。

　　由于霍尔效应同时适用于导电板和半导体板，因此Allegro半导体集成电路集成了霍尔元件。通过在完全集成的单片IC中使用霍尔效应，可以测量磁场强度并创建用于许多不同应用的大量霍尔效应集成电路。